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Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q65W,S1Q

Name: TK6Q65W,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK6Q65W,S1Q
Price: 0.82208 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (430 reviews)

Número da peça MFG: TK6Q65W,S1Q

Quantidade disponível: 21880 Peças

Preço de referência: USD 0.82208

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: DTMOSIV MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TK6Q65W,S1Q.pdf

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TK6Q65W,S1Q Especificações

Número da peça de fabricante	TK6Q65W,S1Q
Número da peça futura	FT-TK6Q65W,S1Q
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	DTMOSIV
TK6Q65W,S1Q Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	5.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 180µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	390pF @ 300V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	60W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	I-PAK
Pacote / caso	TO-251-3 Stub Leads, IPak
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK6Q65W,S1Q Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TK6Q65W,S1Q-FT

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