casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TK12Q60W,S1VQ
Número da peça de fabricante | TK12Q60W,S1VQ |
---|---|
Número da peça futura | FT-TK12Q60W,S1VQ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DTMOSIV |
TK12Q60W,S1VQ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340 mOhm @ 5.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 600µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 300V |
Recurso FET | Super Junction |
Dissipação de energia (máx.) | 100W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I-PAK |
Pacote / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK12Q60W,S1VQ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TK12Q60W,S1VQ-FT |
TK14E65W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16E60W5,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK17E65W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK25E60X,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK25E60X5,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31E60X,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel