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Toshiba Semiconductor and Storage TK8Q60W,S1VQ

Número da peça MFG
TK8Q60W,S1VQ
Quantidade disponível
50300 Peças
Preço de referência
USD 1.456
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição breve
DTMOSIV MOSFET N CH 600V 8A IPAK
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
TK8Q60W,S1VQ.pdf
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TK8Q60W,S1VQ Especificações

Número da peça de fabricante TK8Q60W,S1VQ
Número da peça futura FT-TK8Q60W,S1VQ
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series DTMOSIV
TK8Q60W,S1VQ Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 400µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 18.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 300V
Recurso FET Super Junction
Dissipação de energia (máx.) 80W (Tc)
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor I-PAK
Pacote / caso TO-251-3 Stub Leads, IPak
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK8Q60W,S1VQ Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição TK8Q60W,S1VQ-FT

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