casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFD9210
Número da peça de fabricante | IRFD9210 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IRFD9210 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRFD9210 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 400mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 240mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Pacote / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFD9210 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFD9210-FT |
TK5Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6Q65W,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20C60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel