casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFD9113
Número da peça de fabricante | IRFD9113 |
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Número da peça futura | FT-IRFD9113 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRFD9113 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 600mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 300mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 15V |
Vgs (máx.) | - |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Pacote / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFD9113 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFD9113-FT |
TK5Q65W,S1Q
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TK8Q65W,S1Q
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TK5Q60W,S1VQ
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TK6Q65W,S1Q
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TK7Q60W,S1VQ
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TK8Q60W,S1VQ
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TK12A60W,S4VX
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XC2V8000-4FFG1152C
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