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Infineon Technologies IPW65R190CFDFKSA1

Número da peça MFG
IPW65R190CFDFKSA1
Quantidade disponível
47340 Peças
Preço de referência
USD 3.312
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IPW65R190CFDFKSA1 Especificações

Número da peça de fabricante IPW65R190CFDFKSA1
Número da peça futura FT-IPW65R190CFDFKSA1
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series CoolMOS™
IPW65R190CFDFKSA1 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 17.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 730µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1850pF @ 100V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 151W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor PG-TO247-3
Pacote / caso TO-247-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPW65R190CFDFKSA1 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IPW65R190CFDFKSA1-FT

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