casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP60R280P7XKSA1
Número da peça de fabricante | IPP60R280P7XKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPP60R280P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ P7 |
IPP60R280P7XKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 190µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 761pF @ 400V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 53W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP60R280P7XKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPP60R280P7XKSA1-FT |
IPB180N06S4H1ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N06S4H1ATMA2
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IPB180N08S402ATMA1
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IPB180N10S402ATMA1
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IPB180N10S403ATMA1
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IPB180P04P403ATMA1
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IPB180P04P4L02ATMA1
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IPB240N03S4LR8ATMA1
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IPB240N03S4LR9ATMA1
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IPB240N04S41R0ATMA1
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XC6SLX150T-2CSG484I
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A54SX32A-CQ256M
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A3PN250-2VQ100
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5SGXEA5K2F40I3L
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5SGXMA9N2F45C2LN
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XC7VX690T-1FF1157I
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XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
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XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.