casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP60R600P7XKSA1
Número da peça de fabricante | IPP60R600P7XKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPP60R600P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ P7 |
IPP60R600P7XKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 1.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 80µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 363pF @ 400V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 30W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP60R600P7XKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPP60R600P7XKSA1-FT |
IPB180N03S4L01ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N03S4LH0ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N04S302ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N04S4L01ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N04S4LH0ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N06S4H1ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N06S4H1ATMA2
Infineon Technologies
IPB180N08S402ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N10S402ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N10S403ATMA1
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel