casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP60R120P7XKSA1
Número da peça de fabricante | IPP60R120P7XKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPP60R120P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ P7 |
IPP60R120P7XKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 8.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1544pF @ 400V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 95W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP60R120P7XKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPP60R120P7XKSA1-FT |
IPB180N04S4LH0ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N06S4H1ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N06S4H1ATMA2
Infineon Technologies
IPB180N08S402ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N10S402ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N10S403ATMA1
Infineon Technologies
IPB180P04P403ATMA1
Infineon Technologies
IPB180P04P4L02ATMA1
Infineon Technologies
IPB240N03S4LR8ATMA1
Infineon Technologies
IPB240N03S4LR9ATMA1
Infineon Technologies
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel