casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPW60R199CPFKSA1
Número da peça de fabricante | IPW60R199CPFKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPW60R199CPFKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
IPW60R199CPFKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199 mOhm @ 9.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 660µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1520pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 139W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO247-3 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW60R199CPFKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPW60R199CPFKSA1-FT |
IPSA70R1K2P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPU95R750P7AKMA1
Infineon Technologies
IPS80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
IPP80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R600P7XKSA1
Infineon Technologies
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel