casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPSA70R1K2P7SAKMA1
Número da peça de fabricante | IPSA70R1K2P7SAKMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPSA70R1K2P7SAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ P7 |
IPSA70R1K2P7SAKMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 700V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 900mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8nC @ 400V |
Vgs (máx.) | ±16V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 174pF @ 400V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 25W (Tc) |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO251-3 |
Pacote / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPSA70R1K2P7SAKMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPSA70R1K2P7SAKMA1-FT |
IPB039N10N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB065N15N3GE8187ATMA1
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IPB140N08S404ATMA1
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IPB160N04S4LH1ATMA1
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IPB160N08S403ATMA1
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IPB180N03S4L01ATMA1
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EX64-TQ100I
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M2GL090T-FCSG325I
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M1AFS600-2FG256I
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XCS05-3PC84C
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XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
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EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel