casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP80R360P7XKSA1
Número da peça de fabricante | IPP80R360P7XKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPP80R360P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ P7 |
IPP80R360P7XKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 800V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 5.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 280µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 930pF @ 500V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 84W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80R360P7XKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPP80R360P7XKSA1-FT |
IPB160N04S2L03ATMA2
Infineon Technologies
IPB160N04S4LH1ATMA1
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IPB160N08S403ATMA1
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IPB180N03S4LH0ATMA1
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IPB180N04S302ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N04S4L01ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N04S4LH0ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N06S4H1ATMA1
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IPB180N06S4H1ATMA2
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XC2V250-5FG256I
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M2GL050-FGG484I
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A3P1000-FGG484T
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APA1000-PQ208M
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LCMXO3L-9400C-6BG484C
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5SGXEA5K3F35C2L
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XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel