casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPW60R070P6XKSA1
Número da peça de fabricante | IPW60R070P6XKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPW60R070P6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ P6 |
IPW60R070P6XKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 53.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 20.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.72mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4750pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 391W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO247-3 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW60R070P6XKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPW60R070P6XKSA1-FT |
IPI16CNE8N G
Infineon Technologies
IPI180N10N3GXKSA1
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IPI200N15N3 G
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IPI22N03S4L15AKSA1
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IPI25N06S3-25
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IPI25N06S3L-22
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IPI26CNE8N G
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IPI320N20N3GAKSA1
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XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
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M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
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10M40SAE144I7G
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5SGXEBBR1H43C2LN
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LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
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EPF8820AQC208-4AA
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