casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP80N06S2L07AKSA2
Número da peça de fabricante | IPP80N06S2L07AKSA2 |
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Número da peça futura | FT-IPP80N06S2L07AKSA2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPP80N06S2L07AKSA2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 150µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3160pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 210W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3-1 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80N06S2L07AKSA2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPP80N06S2L07AKSA2-FT |
IPP50R299CPHKSA1
Infineon Technologies
IPP50R350CPHKSA1
Infineon Technologies
IPP50R350CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R399CPHKSA1
Infineon Technologies
IPP50R399CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R500CEXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R520CPHKSA1
Infineon Technologies
IPP50R520CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP600N25N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel