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Infineon Technologies IPP50R399CPHKSA1

Name: IPP50R399CPHKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP50R399CPHKSA1
Price: 0.957568 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (530 reviews)

Número da peça MFG: IPP50R399CPHKSA1

Quantidade disponível: 88860 Peças

Preço de referência: USD 0.957568

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fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: CoolMOS™ MOSFET N-CH 560V 9A TO-220

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IPP50R399CPHKSA1.pdf

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IPP50R399CPHKSA1 Especificações

Número da peça de fabricante	IPP50R399CPHKSA1
Número da peça futura	FT-IPP50R399CPHKSA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	CoolMOS™
IPP50R399CPHKSA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	560V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	399 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 330µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	890pF @ 100V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	83W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TO220-3-1
Pacote / caso	TO-220-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP50R399CPHKSA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IPP50R399CPHKSA1-FT

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