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Infineon Technologies IPP50R299CPHKSA1

Número da peça MFG
IPP50R299CPHKSA1
Quantidade disponível
24020 Peças
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USD 0
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
CoolMOS™ MOSFET N-CH 550V TO220-3
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IPP50R299CPHKSA1 Especificações

Número da peça de fabricante IPP50R299CPHKSA1
Número da peça futura FT-IPP50R299CPHKSA1
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series CoolMOS™
IPP50R299CPHKSA1 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 550V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 440µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 100V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 104W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor PG-TO220-3-1
Pacote / caso TO-220-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP50R299CPHKSA1 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IPP50R299CPHKSA1-FT

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