casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP50R520CPHKSA1
Número da peça de fabricante | IPP50R520CPHKSA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPP50R520CPHKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
IPP50R520CPHKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 550V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.1A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 66W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3-1 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP50R520CPHKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPP50R520CPHKSA1-FT |
IPP06CNE8N G
Infineon Technologies
IPP06N03LA
Infineon Technologies
IPP070N06L G
Infineon Technologies
IPP070N06N G
Infineon Technologies
IPP070N08N3 G
Infineon Technologies
IPP072N10N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP075N15N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP07N03LB G
Infineon Technologies
IPP080N03L G
Infineon Technologies
IPP080N06N G
Infineon Technologies
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.