casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP80N06S2L06AKSA2
Número da peça de fabricante | IPP80N06S2L06AKSA2 |
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Número da peça futura | FT-IPP80N06S2L06AKSA2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPP80N06S2L06AKSA2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 69A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 180µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3800pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 250W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3-1 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80N06S2L06AKSA2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPP80N06S2L06AKSA2-FT |
IPP50R250CPHKSA1
Infineon Technologies
IPP50R299CPHKSA1
Infineon Technologies
IPP50R350CPHKSA1
Infineon Technologies
IPP50R350CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R399CPHKSA1
Infineon Technologies
IPP50R399CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R500CEXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R520CPHKSA1
Infineon Technologies
IPP50R520CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP600N25N3GXKSA1
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel