casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI80P04P4L08AKSA1
Número da peça de fabricante | IPI80P04P4L08AKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPI80P04P4L08AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPI80P04P4L08AKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 120µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 10V |
Vgs (máx.) | +5V, -16V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5430pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 75W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO262-3-1 |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI80P04P4L08AKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPI80P04P4L08AKSA1-FT |
SPD30N03S2L10GBTMA1
Infineon Technologies
SPD30N03S2L10T
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SPD30N03S2L20GBTMA1
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SPD30N06S2-15
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SPD30N06S2-23
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SPD30N06S2L-13
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SPD30N06S2L-23
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SPD30N08S2-22
Infineon Technologies
SPD30N08S2L-21
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SPD30P06P
Infineon Technologies
A1020B-VQG80I
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XC6VLX75T-L1FFG484I
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APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
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XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel