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IPI12CNE8N G Image

Infineon Technologies IPI12CNE8N G

Número da peça MFG
IPI12CNE8N G
Quantidade disponível
31610 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
OptiMOS™ MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
IPI12CNE8N G.pdf
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IPI12CNE8N G Especificações

Número da peça de fabricante IPI12CNE8N G
Número da peça futura FT-IPI12CNE8N G
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series OptiMOS™
IPI12CNE8N G Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 85V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 67A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.6 mOhm @ 67A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 83µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4340pF @ 40V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 125W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor PG-TO262-3
Pacote / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPI12CNE8N G Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IPI12CNE8N G-FT

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