casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPW17N80C3A
Número da peça de fabricante | SPW17N80C3A |
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Número da peça futura | FT-SPW17N80C3A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
SPW17N80C3A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 800V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 177nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2320pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 227W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO247-3 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPW17N80C3A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SPW17N80C3A-FT |
IPD80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R360P7ATMA1
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IPD80R3K3P7ATMA1
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IPD80R750P7ATMA1
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IPDD60R050G7XTMA1
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IPDD60R150G7XTMA1
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IPDD60R080G7XTMA1
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IPDD60R102G7XTMA1
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IPDD60R125G7XTMA1
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IPDD60R190G7XTMA1
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