casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPW20N60S5FKSA1
Número da peça de fabricante | SPW20N60S5FKSA1 |
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Número da peça futura | FT-SPW20N60S5FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
SPW20N60S5FKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 103nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 208W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO247-3 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPW20N60S5FKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SPW20N60S5FKSA1-FT |
IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
IPDD60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
IPDD60R150G7XTMA1
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IPDD60R080G7XTMA1
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IPDD60R125G7XTMA1
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IPDD60R190G7XTMA1
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IPT60R028G7XTMA1
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IPT60R050G7XTMA1
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IPT60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
M2GL025-1FG484I
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APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
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A3P400-1FG256
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XC2V4000-4FFG1152I
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LFE2M20E-6FN256I
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LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
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LCMXO2-4000HC-6MG132C
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EP3SE110F780C4L
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10CL080YF780C6G
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