casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPW24N60CFDFKSA1
Número da peça de fabricante | SPW24N60CFDFKSA1 |
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Número da peça futura | FT-SPW24N60CFDFKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
SPW24N60CFDFKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 21.7A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 15.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1.2mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 143nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3160pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 240W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO247-3 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPW24N60CFDFKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SPW24N60CFDFKSA1-FT |
IPDD60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
IPDD60R150G7XTMA1
Infineon Technologies
IPDD60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
IPDD60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
IPDD60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
IPDD60R190G7XTMA1
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IPT60R028G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
XC4005XL-2PQ100I
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XC2VP4-5FG456C
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EPF10K100AFC484-3
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EP4CE10F17C8L
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EP2AGX95DF25C6
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XC6VLX240T-1FF1156C
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XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
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LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation