casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI126N10N3 G
Número da peça de fabricante | IPI126N10N3 G |
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Número da peça futura | FT-IPI126N10N3 G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPI126N10N3 G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 58A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6 mOhm @ 46A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 94W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO262-3 |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI126N10N3 G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPI126N10N3 G-FT |
SPW12N50C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW15N60C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW15N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW17N80C3A
Infineon Technologies
SPW17N80C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW20N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW20N60S5FKSA1
Infineon Technologies
SPW24N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW32N50C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW35N60C3FKSA1
Infineon Technologies
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel