casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI040N06N3GHKSA1
Número da peça de fabricante | IPI040N06N3GHKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPI040N06N3GHKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPI040N06N3GHKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 11000pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 188W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO262-3 |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI040N06N3GHKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPI040N06N3GHKSA1-FT |
IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R070C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R075CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R199CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R250CP
Infineon Technologies
IPW60R280E6FKSA1
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel