casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPW60R120P7XKSA1
Número da peça de fabricante | IPW60R120P7XKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPW60R120P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ P7 |
IPW60R120P7XKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 8.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1544pF @ 400V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 95W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO247-3 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW60R120P7XKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPW60R120P7XKSA1-FT |
IPU95R450P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU95R1K2P7AKMA1
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IPSA70R1K2P7SAKMA1
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IPU95R750P7AKMA1
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IPS80R900P7AKMA1
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IPP80R600P7XKSA1
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IPP60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R750P7XKSA1
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IPP80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
XC6SLX150T-2CSG484I
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M2GL010-FGG484I
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A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
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5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
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XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.