casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPW60R280E6FKSA1
Número da peça de fabricante | IPW60R280E6FKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPW60R280E6FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
IPW60R280E6FKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 13.8A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 430µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 104W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO247-3 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW60R280E6FKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPW60R280E6FKSA1-FT |
IPS80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
IPP80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R600P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel