casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB60R125CPATMA1
Número da peça de fabricante | IPB60R125CPATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPB60R125CPATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
IPB60R125CPATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 208W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO263-3-2 |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB60R125CPATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB60R125CPATMA1-FT |
IPB072N15N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB073N15N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB075N04LGATMA1
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IPB080N06N G
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IPB083N10N3GATMA1
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IPB083N15N5LFATMA1
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IPB085N06L G
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IPB08CN10N G
Infineon Technologies
IPB08CNE8N G
Infineon Technologies
IPB090N06N3GATMA1
Infineon Technologies
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation