casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB08CN10N G
Número da peça de fabricante | IPB08CN10N G |
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Número da peça futura | FT-IPB08CN10N G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPB08CN10N G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 95A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 95A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 130µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6660pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 167W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D²PAK (TO-263AB) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB08CN10N G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB08CN10N G-FT |
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