casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB083N10N3GATMA1
Número da peça de fabricante | IPB083N10N3GATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPB083N10N3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPB083N10N3GATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 73A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 125W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D²PAK (TO-263AB) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB083N10N3GATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB083N10N3GATMA1-FT |
AUIRFS4310
Infineon Technologies
AUIRFS4310TRL
Infineon Technologies
AUIRFS4310ZTRL
Infineon Technologies
AUIRFS4410Z
Infineon Technologies
AUIRFS4610
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AUIRFS6535
Infineon Technologies
AUIRFS6535TRL
Infineon Technologies
AUIRFS8403
Infineon Technologies
AUIRFS8403TRL
Infineon Technologies
AUIRFS8405TRL
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
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AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
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EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
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LCMXO3L-2100C-5BG256I
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LFE3-35EA-7FN672I
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10AX057K4F40I3SG
Intel