casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB072N15N3GE8187ATMA1
Número da peça de fabricante | IPB072N15N3GE8187ATMA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPB072N15N3GE8187ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 150V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5470pF @ 75V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 300W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO263-3-2 |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB072N15N3GE8187ATMA1-FT |
AUIRFS4010
Infineon Technologies
AUIRFS4115
Infineon Technologies
AUIRFS4115TRL
Infineon Technologies
AUIRFS4127TRL
Infineon Technologies
AUIRFS4310
Infineon Technologies
AUIRFS4310TRL
Infineon Technologies
AUIRFS4310ZTRL
Infineon Technologies
AUIRFS4410Z
Infineon Technologies
AUIRFS4610
Infineon Technologies
AUIRFS6535
Infineon Technologies
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation