casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / HSMS-2818-TR1G
Número da peça de fabricante | HSMS-2818-TR1G |
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Número da peça futura | FT-HSMS-2818-TR1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HSMS-2818-TR1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky - 1 Bridge |
Tensão - pico reverso (máximo) | 20V |
Corrente - Max | 1A |
Capacitância @ Vr, F | 1.2pF @ 0V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 15 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Pacote / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-143-4 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2818-TR1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HSMS-2818-TR1G-FT |
BAR8802LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8902LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8902LRHE6433XTMA1
Infineon Technologies
BAR9002ELSE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR9002LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT1502LRHE6327XTSA1
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BAT6202LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAT 62-09S E6327
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BAT 68-08S E6327
Infineon Technologies
BAR8802VH6327XTSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG484
Microsemi Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
5AGXBA3D4F27C4N
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5SGXEA5H2F35C2L
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10AX090H1F34E1SG
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EP20K300EBC652-2X
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EP1C12F324C7N
Intel
5SGSMD4H2F35C2L
Intel