casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / HSMS-2817-TR1G
Número da peça de fabricante | HSMS-2817-TR1G |
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Número da peça futura | FT-HSMS-2817-TR1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HSMS-2817-TR1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky - 1 Bridge |
Tensão - pico reverso (máximo) | 20V |
Corrente - Max | 1A |
Capacitância @ Vr, F | 1.2pF @ 0V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 15 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Pacote / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-143-4 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2817-TR1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HSMS-2817-TR1G-FT |
BAR6302LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAR6302LE6433XT
Infineon Technologies
BAR6402LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8802LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8902LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8902LRHE6433XTMA1
Infineon Technologies
BAR9002ELSE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR9002LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT1502LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT6202LE6327XTMA1
Infineon Technologies
LCMXO2280C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
M7A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC256-2X
Intel
10M25SCE144I7G
Intel
5SGXEB6R3F43I3N
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
XC7VX980T-L2FFG1926E
Xilinx Inc.
LFEC3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34E2LG
Intel