casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBU808GTB
Número da peça de fabricante | GBU808GTB |
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Número da peça futura | FT-GBU808GTB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBU808GTB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 800V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-ESIP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBU |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU808GTB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBU808GTB-FT |
KMB26STR
SMC Diode Solutions
KMB28STR
SMC Diode Solutions
KMB225STR
SMC Diode Solutions
GBJ2006TB
SMC Diode Solutions
GBJ2010TB
SMC Diode Solutions
GBJ3510TB
SMC Diode Solutions
GBJ606TB
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GBJ2506TB
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GBJ1010TB
SMC Diode Solutions
GBJ3506TB
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XC4010XL-1PQ100I
Xilinx Inc.
XC7K160T-3FBG676E
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C5U256C6N
Intel
EP4CGX15BF14C6
Intel
AGL125V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation