casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / GA10JT12-247
Número da peça de fabricante | GA10JT12-247 |
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Número da peça futura | FT-GA10JT12-247 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GA10JT12-247 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 1200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 10A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | - |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 170W (Tc) |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247AB |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA10JT12-247 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GA10JT12-247-FT |
IAUT150N10S5N035ATMA1
Infineon Technologies
IAUT165N08S5N029ATMA2
Infineon Technologies
IAUT200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
IAUT240N08S5N019ATMA1
Infineon Technologies
IAUT260N10S5N019ATMA1
Infineon Technologies
IAUT300N08S5N012ATMA2
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IAUT300N08S5N014ATMA1
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IPLU250N04S41R7XTMA1
Infineon Technologies
IPLU300N04S41R1XTMA1
Infineon Technologies
IPLU300N04S4R7XTMA2
Infineon Technologies
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation