casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FS75R07N2E4BOSA1
Número da peça de fabricante | FS75R07N2E4BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FS75R07N2E4BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | EconoPACK™2 |
FS75R07N2E4BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 75A |
Potência - Max | 250W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 75A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 4.6nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS75R07N2E4BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FS75R07N2E4BOSA1-FT |
FZ1800R12HP4B9HOSA2
Infineon Technologies
FZ1800R17HP4B9HOSA2
Infineon Technologies
FZ2400R12HE4B9HOSA2
Infineon Technologies
FZ2400R17HE4B9HOSA2
Infineon Technologies
FZ2400R17HP4HOSA2
Infineon Technologies
DF1400R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
DF600R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
DF600R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
DF900R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
DF900R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
XC4005E-4PQ100C
Xilinx Inc.
XC7A15T-3CSG325E
Xilinx Inc.
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
M1A3P400-PQ208
Microsemi Corporation
EP4S40G2F40I3
Intel
EP4SGX530NF45I4N
Intel
5SGXEABK2H40I3LN
Intel
XA7A15T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780I4L
Intel