casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FZ1800R12HP4B9HOSA2
Número da peça de fabricante | FZ1800R12HP4B9HOSA2 |
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Número da peça futura | FT-FZ1800R12HP4B9HOSA2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FZ1800R12HP4B9HOSA2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Configuração | Single Switch |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 2700A |
Potência - Max | 10500W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 1800A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 110nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZ1800R12HP4B9HOSA2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FZ1800R12HP4B9HOSA2-FT |
FZ600R17KE3HOSA1
Infineon Technologies
FS75R12KT4B15BOSA1
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Infineon Technologies
EP2C8T144I8N
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APA300-FG256M
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A42MX16-3PQ208
Microsemi Corporation
XC6VLX240T-2FF1156I
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LFEC20E-4F484I
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5CEFA9F23C7N
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10AX115U4F45I3LG
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5AGXBA7D4F35C4N
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EP20K100EFC324-2N
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