casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQI32N20CTU
Número da peça de fabricante | FQI32N20CTU |
---|---|
Número da peça futura | FT-FQI32N20CTU |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQI32N20CTU Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2220pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.13W (Ta), 156W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I2PAK (TO-262) |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQI32N20CTU Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQI32N20CTU-FT |
IRFH5004TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5010TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5010TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5015TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5025TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5025TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5106TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5106TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5110TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5110TRPBF
Infineon Technologies