casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFH5025TR2PBF
Número da peça de fabricante | IRFH5025TR2PBF |
---|---|
Número da peça futura | FT-IRFH5025TR2PBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFH5025TR2PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 250V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 5.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 150µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2150pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-PQFN (5x6) |
Pacote / caso | 8-PowerVDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH5025TR2PBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFH5025TR2PBF-FT |
IPW60R160P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R070P6XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
AUIRFP4310Z
Infineon Technologies
IPW60R031CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R041P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R045CPAFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel