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Infineon Technologies IRFH5110TR2PBF

Número da peça MFG
IRFH5110TR2PBF
Quantidade disponível
34540 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
HEXFET® MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IRFH5110TR2PBF Especificações

Número da peça de fabricante IRFH5110TR2PBF
Número da peça futura FT-IRFH5110TR2PBF
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series HEXFET®
IRFH5110TR2PBF Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta), 63A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4 mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3152pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 3.6W (Ta), 114W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 8-PQFN (5x6)
Pacote / caso 8-PowerVDFN
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH5110TR2PBF Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IRFH5110TR2PBF-FT

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