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Infineon Technologies IRFH5110TR2PBF

Name: IRFH5110TR2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5110TR2PBF
Availability: InStock
Rating: 4.8 (695 reviews)

Número da peça MFG: IRFH5110TR2PBF

Quantidade disponível: 34540 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRFH5110TR2PBF.pdf

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IRFH5110TR2PBF Especificações

Número da peça de fabricante	IRFH5110TR2PBF
Número da peça futura	FT-IRFH5110TR2PBF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
IRFH5110TR2PBF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	11A (Ta), 63A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.4 mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3152pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3.6W (Ta), 114W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-PQFN (5x6)
Pacote / caso	8-PowerVDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH5110TR2PBF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRFH5110TR2PBF-FT

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