casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFH5110TRPBF
Número da peça de fabricante | IRFH5110TRPBF |
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Número da peça futura | FT-IRFH5110TRPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFH5110TRPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 63A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4 mOhm @ 37A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3152pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.6W (Ta), 114W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-PQFN (5x6) |
Pacote / caso | 8-PowerVDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH5110TRPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFH5110TRPBF-FT |
AUIRFP4310Z
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