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ON Semiconductor FQD10N20LTM

Name: FQD10N20LTM
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQD10N20LTM
Price: 0.330912 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (646 reviews)

Número da peça MFG: FQD10N20LTM

Quantidade disponível: 28110 Peças

Preço de referência: USD 0.330912

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: QFET® MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FQD10N20LTM.pdf

FQD10N20LTM Especificações

Número da peça de fabricante	FQD10N20LTM
Número da peça futura	FT-FQD10N20LTM
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	QFET®
FQD10N20LTM Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	7.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 5V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	830pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta), 51W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQD10N20LTM Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FQD10N20LTM-FT

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