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GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227

Número da peça MFG
GA100JT12-227
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57010 Peças
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Data de envio
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fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descrição breve
- TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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GA100JT12-227 Especificações

Número da peça de fabricante GA100JT12-227
Número da peça futura FT-GA100JT12-227
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
GA100JT12-227 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET -
Tecnologia SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 160A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 100A
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (máx.) -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14400pF @ 800V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 535W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor SOT-227
Pacote / caso SOT-227-4, miniBLOC
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GA100JT12-227 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição GA100JT12-227-FT

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