casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / GA50JT12-263
Número da peça de fabricante | GA50JT12-263 |
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Número da peça futura | FT-GA50JT12-263 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | * |
GA50JT12-263 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | - |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | - |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | - |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Pacote / caso | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA50JT12-263 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GA50JT12-263-FT |
IAUT300N08S5N012ATMA2
Infineon Technologies
IAUT300N08S5N014ATMA1
Infineon Technologies
IPLU250N04S41R7XTMA1
Infineon Technologies
IPLU300N04S41R1XTMA1
Infineon Technologies
IPLU300N04S4R7XTMA2
Infineon Technologies
IPT007N06NATMA1
Infineon Technologies
IPT012N06NATMA1
Infineon Technologies
IPT020N10N3ATMA1
Infineon Technologies
IPT059N15N3ATMA1
Infineon Technologies
IPT111N20NFDATMA1
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel