casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF600R17KE3B2NOSA1
Número da peça de fabricante | FF600R17KE3B2NOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FF600R17KE3B2NOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FF600R17KE3B2NOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | 2 Independent |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1700V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | - |
Potência - Max | 4300W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 600A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF600R17KE3B2NOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FF600R17KE3B2NOSA1-FT |
FF1400R17IP4PBOSA1
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XC6SLX9-2FTG256C
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XC2VP30-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A100T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35I3N
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10AX016E4F27E3SG
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