casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FD16001200R17HP4B2BOSA2
Número da peça de fabricante | FD16001200R17HP4B2BOSA2 |
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Número da peça futura | FT-FD16001200R17HP4B2BOSA2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FD16001200R17HP4B2BOSA2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Dual Brake Chopper |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1700V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | - |
Potência - Max | 10500W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 1600A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 130nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD16001200R17HP4B2BOSA2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FD16001200R17HP4B2BOSA2-FT |
APTGT200DH120G
Microsemi Corporation
APTGT200DH60G
Microsemi Corporation
APTGT200H120G
Microsemi Corporation
APTGT200H60G
Microsemi Corporation
APTGT200SK120G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT20H60T1G
Microsemi Corporation
APTGT20TL601G
Microsemi Corporation
APTGT225A170G
Microsemi Corporation
APTGT225DA170G
Microsemi Corporation
XA3S500E-4FT256Q
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG456I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484
Microsemi Corporation
LFX125EB-04FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM1K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-17EA-6LFN484E
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31C8
Intel
EP4SE230F29C3N
Intel