casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FD16001200R17HP4B2BOSA2
Número da peça de fabricante | FD16001200R17HP4B2BOSA2 |
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Número da peça futura | FT-FD16001200R17HP4B2BOSA2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FD16001200R17HP4B2BOSA2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Dual Brake Chopper |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1700V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | - |
Potência - Max | 10500W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 1600A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 130nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD16001200R17HP4B2BOSA2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FD16001200R17HP4B2BOSA2-FT |
APTGT200DH120G
Microsemi Corporation
APTGT200DH60G
Microsemi Corporation
APTGT200H120G
Microsemi Corporation
APTGT200H60G
Microsemi Corporation
APTGT200SK120G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT20H60T1G
Microsemi Corporation
APTGT20TL601G
Microsemi Corporation
APTGT225A170G
Microsemi Corporation
APTGT225DA170G
Microsemi Corporation
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC2S50E-6FTG256C
Xilinx Inc.
AX250-FG484M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F27E2LG
Intel
10M50DAF672C8G
Intel
5SGXMB6R1F43C2LN
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
EP2C70F896C6N
Intel
EP1C4F400C8
Intel