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EPC EPC2100ENG

Name: EPC2100ENG
Brand: EPC
SKU: EPC2100ENG
Availability: InStock
Rating: 4.8 (109 reviews)

Número da peça MFG: EPC2100ENG

Quantidade disponível: 57830 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: EPC

Descrição breve: eGaN® GAN TRANS 2N-CH 30V BUMPED DIE

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: EPC2100ENG.pdf

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EPC2100ENG Especificações

Número da peça de fabricante	EPC2100ENG
Número da peça futura	FT-EPC2100ENG
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	eGaN®
EPC2100ENG Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Potência - Max	-
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	Die
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	Die
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2100ENG Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	EPC2100ENG-FT

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