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Infineon Technologies DF23MR12W1M1B11BOMA1

Name: DF23MR12W1M1B11BOMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: DF23MR12W1M1B11BOMA1
Price: 74.94 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (586 reviews)

Número da peça MFG: DF23MR12W1M1B11BOMA1

Quantidade disponível: 88960 Peças

Preço de referência: USD 74.94

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: CoolSiC™ MOSFET MODULE 1200V 25A

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: DF23MR12W1M1B11BOMA1.pdf

DF23MR12W1M1B11BOMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	DF23MR12W1M1B11BOMA1
Número da peça futura	FT-DF23MR12W1M1B11BOMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	CoolSiC™
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Silicon Carbide (SiC)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 25A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 10mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	620nC @ 15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 800V
Potência - Max	20mW
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Chassis Mount
Pacote / caso	Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	Module
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	DF23MR12W1M1B11BOMA1-FT

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