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Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BOMA1
- Número da peça MFG
- DF11MR12W1M1B11BOMA1
- Quantidade disponível
- 42430 Peças
- Preço de referência
- USD 107.488
- Nosso preço
- Temos um grande desconto, entre em contato conosco
- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Infineon Technologies
- Descrição breve
- CoolSiC™ MOSFET MODULE 1200V 50A
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- DF11MR12W1M1B11BOMA1.pdf
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Especificações
| Número da peça de fabricante | DF11MR12W1M1B11BOMA1 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-DF11MR12W1M1B11BOMA1 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | CoolSiC™ |
| DF11MR12W1M1B11BOMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Recurso FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 50A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 20mA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 5V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 800V |
| Potência - Max | 20mW |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote / caso | Module |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DF11MR12W1M1B11BOMA1 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | DF11MR12W1M1B11BOMA1-FT |
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