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Infineon Technologies BSC072N03LDGATMA1

Name: BSC072N03LDGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC072N03LDGATMA1
Price: 0.465704 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (583 reviews)

Número da peça MFG: BSC072N03LDGATMA1

Quantidade disponível: 66840 Peças

Preço de referência: USD 0.465704

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BSC072N03LDGATMA1.pdf

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BSC072N03LDGATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	BSC072N03LDGATMA1
Número da peça futura	FT-BSC072N03LDGATMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	OptiMOS™
BSC072N03LDGATMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	11.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 15V
Potência - Max	57W
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	8-PowerVDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TDSON-8 Dual
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC072N03LDGATMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BSC072N03LDGATMA1-FT

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